Low Substrate Temperature Modeling Outlook of Scaled n-MOSFET

Explores device parameters such as channel inversion carrier mobility and its characteristic evolution. This book is the first to illustrate that a single subthreshold slope value is erroneous and at lower gate voltage below inversion, subthreshold slope value exhibits a variation tendency on applied gate voltage below threshold.

Exploreaza parametrii dispozitivului, cum ar fi mobilitatea purtatorului de inversare a canalului si evolutia sa caracteristica. Aceasta carte este prima care ilustreaza ca o singura valoare a pantei sub prag este eronata si la o tensiune mai mica a portii sub inversiune, valoarea pantei sub prag prezinta o tendinta de variatie a tensiunii aplicate a portii sub prag.